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1.5μm高效率多芯片共晶机MV-15H-M

• 产品应用:COC/COS
• 贴装精度:±1.5μm(标准片);±3μm (芯片贴装)
• 应用领域:光通信、激光雷达、5G 射频、商业激光器
• 共晶质量优秀:历经国内多个行业标杆客户三年量产验证,共晶焊接质量比肩全球大厂;
• 广泛应用在:大功率激光器、光通信、军工、射频、微波、红外、激光雷达等行业;
• 高质量多芯片共晶:微见高精度绑头系统:1主3副共4个绑头;多芯片共晶定制设计,同时吸取多个芯片再置于基板;多个芯片同时共晶,多个芯片近似相等共晶时间;
• 工艺能力强大:具有COC单管共晶、Bar条共晶、COC入管壳共晶工艺能力;支持摩擦共晶焊等复杂工艺;可支持客户全自动化产线建设需求。

技术参数

 

贴装工艺 共晶(多芯片同时共晶)
产品应用 COC/COS
贴装精度 ±1.5μm(标准片,主绑头);±3μm (芯片贴装,主绑头;取决于具体应用和物料)
设备效率 5s (标准片,一个pick&place);不含共晶温度曲线 
     
贴装系统 绑头 微见高精度绑头系统(1主3副共4个绑头):4个绑头均可自动更换吸嘴
X/Y/Z 行程:320mmx580mmx50mm
旋转轴 行程:±360°;重复定位精度:0.02°(主绑头),0.06°(副绑头)
最小吸取尺寸 0.15*0.2mm
压力 主绑头10-200g±10%(压力闭环实时反馈,可选配10-2000g);副绑头20-80g±5g(压力闭环实时反馈) 
     
物料系统 2x2"/4x4" gel pack/waffle pack 
蓝膜上料
     
共晶焊接系统 加热方式 脉冲加热(电)
焊台数量 1个
温度范围 25-400℃
最大升温速率 50℃/S;温度速率可调 
     
焊接过程 氮气或氮氢/氦氢混合气保护;温度曲线实时显示
     
视觉系统 类型 两个下视相机,一个高倍上视相机
光源 每个相机配可编程4路灯光(准直白光,环形RGB三色光)
     
厂务需求 电源 200-240VAC 50HZ 单相 20A
压缩空气 0.4-0.5Mpa  300L/min
氮气 0.3Mpa 30L/min 99.9%或更纯
真空 -80kpa 120L/min(管道真空或真空泵)
     
设备尺寸 1466mm(L)x1460mm(W)x1952mm(H)
     
重量 大约2500kg
     
环境温度 23±3℃